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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia11365+¥4.738525+¥4.387550+¥4.1418100+¥4.0365500+¥3.96632500+¥3.87865000+¥3.843510000+¥3.7908
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia94615+¥4.954525+¥4.587550+¥4.3306100+¥4.2205500+¥4.14712500+¥4.05545000+¥4.018710000+¥3.9636
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia85565+¥2.052025+¥1.900050+¥1.7936100+¥1.7480500+¥1.71762500+¥1.67965000+¥1.664410000+¥1.6416
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia21485+¥1.876525+¥1.737550+¥1.6402100+¥1.5985500+¥1.57072500+¥1.53605000+¥1.522110000+¥1.5012
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia55755+¥1.755025+¥1.625050+¥1.5340100+¥1.4950500+¥1.46902500+¥1.43655000+¥1.423510000+¥1.4040
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia44015+¥1.539025+¥1.425050+¥1.3452100+¥1.3110500+¥1.28822500+¥1.25975000+¥1.248310000+¥1.2312
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia83935+¥1.606525+¥1.487550+¥1.4042100+¥1.3685500+¥1.34472500+¥1.31505000+¥1.303110000+¥1.2852
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia86925+¥1.620025+¥1.500050+¥1.4160100+¥1.3800500+¥1.35602500+¥1.32605000+¥1.314010000+¥1.2960
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品类: 双极性晶体管描述:65855+¥2.133025+¥1.975050+¥1.8644100+¥1.8170500+¥1.78542500+¥1.74595000+¥1.730110000+¥1.7064
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品类: 双极性晶体管描述: TRANS NPN 40V 2A SOT89871920+¥0.337550+¥0.3125100+¥0.3000300+¥0.2900500+¥0.28251000+¥0.27755000+¥0.272510000+¥0.2675
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia78835+¥2.214025+¥2.050050+¥1.9352100+¥1.8860500+¥1.85322500+¥1.81225000+¥1.795810000+¥1.7712
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia831610+¥0.850550+¥0.8064100+¥0.7749300+¥0.7560500+¥0.73711000+¥0.71822500+¥0.68995000+¥0.6836
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品类: 双极性晶体管描述: PBSS4240T - 40V; 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor292120+¥0.270050+¥0.2500100+¥0.2400300+¥0.2320500+¥0.22601000+¥0.22205000+¥0.218010000+¥0.2140
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia147210+¥1.080050+¥1.0240100+¥0.9840300+¥0.9600500+¥0.93601000+¥0.91202500+¥0.87605000+¥0.8680
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia48885+¥3.037525+¥2.812550+¥2.6550100+¥2.5875500+¥2.54252500+¥2.48635000+¥2.463810000+¥2.4300
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia17695+¥4.185025+¥3.875050+¥3.6580100+¥3.5650500+¥3.50302500+¥3.42555000+¥3.394510000+¥3.3480
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin (3+Tab)499010+¥0.742550+¥0.7040100+¥0.6765300+¥0.6600500+¥0.64351000+¥0.62702500+¥0.60235000+¥0.5968
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia29095+¥1.728025+¥1.600050+¥1.5104100+¥1.4720500+¥1.44642500+¥1.41445000+¥1.401610000+¥1.3824